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铬靶材涂层制备工艺对成分及组织结构的影响

发布时间:2020-01-08 12:58:03 浏览次数 :

引言

物理气相沉积(简称PⅥ))技术制备的过渡族金属氮化物涂层在硬度、耐磨、耐蚀及抗高温氧化性等各方面各具特色,对材料表面起到很好的机械及化学保护作用,已在刀具、模具、耐磨和耐高温等领域取得了很好的应用。其中,CrAIN涂层因具有比TiAlN等涂层更优异的的抗高温氧化性能而受到了广泛的关注。在高温抗氧化应用领域,CrAlN涂层是传统CrN、TiAIN涂层良好的替代品。

铬靶

目前CrAIN涂层的制备工艺主要有磁控溅射、阴极电弧技术、脉冲激光等方法,其中阴极电弧技术由于其离化率高等特点,在工程上的应用最为广泛。制备涂层采用的靶材也有CrAI合金靶或者cr靶、Al靶纯金属靶两种。目前有一些关于制备工艺一成分一组织结构的研究,但缺乏系统的研究。

本文在用铬靶、A1靶纯金属靶制备出不同成分的CrAlN涂层并系统研究Cr-A1-N涂层制各工艺对涂层成分及组织结构的影响。

1、实验方法

实验所选用的基体材料为经过常规热处理的M2高速钢(HRC 64~66),其主要合金元素的质量分数(%)如下:C 0.80~0.90,Mn 0.15~0.40,Si 0.20~0.45,Cr 3.80~4.40,Mo 4.50~5.50,V 1.75~2.20和w 5.50~6.75。不同成分的crl。AlxN涂层的制备在配备多重转动工件盘的多弧离子镀设备上完成,安装了2个纯cr靶、2个Al靶和2个Ti靶,各靶在镀膜设备上的具体安装方式见图1。所有电弧靶的直径均为95ram,靶基距为160mm。基体经过打磨抛光,然后进行严格的清洗处理后入炉,抽真空至极限真空度8.0×10。Pa后,在600~700V高偏压下,开启各多弧靶轮流轰击清洗基片。然后通入高纯的N2(99.999%)矛H Ar(99.999%)混合气体,使工作气压达到3.0×10。1Pa,首先在基体上沉积一层TiN结合层,然后进行沉积Crl.。AlxN涂层,crl-xA.1xN涂层中A1含量通过cr靶、Al靶的各自电流大小来控制。沉积过程中,基体偏压为80V,占空比保持50%不变,基体(真空室的平均温度)温度为300℃,沉积时间均为90min,涂层厚度约2.5p.m。

采用EVO MA 10型扫描电镜观察涂层表面形貌。采用EVO MA 10型扫描电镜的附件能谱仪测定涂层的成分。采用X Pert MPD Philips型X射线衍射仪分析涂层物相结构。

2、实验结果与讨论

2.1 靶电流比IAl,Ic,对涂层成分的影响

不同工艺制备的CLl.xAlxN涂层的成分结果如表1所示。作出涂层中Al在金属元素中的所占原子百分比随靶电流比IAl,Ic,的变化关系图如图2所示。 

由图2可见,采用cr、A1纯金属靶制各的CrAIN涂层中,Al在金属元素中的相对原子含量随靶电流比IAl/ICr几乎呈线性增加,且均在0~0.70之间。随着靶电流比IAl/ICr的增加,Al靶溅射出的Al粒子相对增多,从而涂层中的A1的相对含量增多。

2.2 涂层XRD物相结构分析

图3为不同Al含量crl-xAlxN涂层的XRD图谱。从图中可以看出,没有出现密排六方结构的hcp.AIN的衍射峰,而只有面心立方结构的fcc.CrN的衍射峰,且其主峰的取向晶面为(11 1),(200),(220)晶面。说明Crl。AlxN涂层取CrN的面心立方结构生长。随着Al含量的增加,fcc-CrN相的衍射峰均向右偏移。根据布拉格公式:2dsin0--nA,,可知随着Al含量的增加,晶格常数减小。经计算得到Crl.xAlxN的晶格常数随Al含量的变化关系,如图4所示。目前普遍认为,晶胞晶格常数的变小是由于面心立方结构的CrN中的部分Cr原子被Al原子取代而引起的,由晶体学的原理可知,物质内部的原子都是不断在其平衡位置附近振动的,其振动受到周围环境的影响。当(Cr,A1)N中Al原子含量增加时,由于l'Al<rcr (r为原子半径),在原子力的作用下,面心立方晶胞内各原子的振动都发生改变,即各原子振动的平衡位置向里偏移,而且各原子向降低晶格常数方向出现的几率增大,Al含量越大,这种改变越明显,以减少体系的能量。这种变化的结果导致了统计意义上的晶格常数的改变,即随着Al含量的增加,晶格常数减小。

此外,随着Al含量的增加,晶体生长择优取向由(200)晶面转向(11 1)晶面。这种改变晶面择优取向的变化规律可以用能量最小化理论【l孓1 7J来解释。涂层能量最小化理论认为涂层总能量由界面能、表面能和弹性应变能组成,体系一旦选定,界面能受沉积条件影响较小。在低应力情况下,弹性应变能较小,表面能决定涂层的总能量,此时表面能较小的晶面择优生长。当涂层有较大应力时,弹性应变能就成为涂层总能量的决定因素,应变能最小的晶面就会择优生长。随着涂层中Al含量的提高,膜层畸变增大,膜层应力增大,涂层将向高指数晶面择优生长以使得涂层的总能量最小。

2.3 涂层的表面形貌

图5所示为Cro 74Alo 26N(a)年lJ Cro 41 AIo 59N(b)涂层的SEM表面形貌图。可以看出,两种涂层表面均存在大小不一的大颗粒,这是电弧离子镀的特性。随着Al含量从X=0.26增加到0.59,涂层表面的大颗粒尺寸和数量均增多。通过图片分析软件,可以深入了解涂层中大颗粒尺寸分布比例随涂层中Al含量的变化关系,如图6所示。从图中可以看出,随着涂层中Al含量从X=0.26增加到0.59,涂层中尺寸大于或等于2.0Pm的大颗粒数量比例从5.2%增加到8.9%,尺寸小于或等于0.5Pm的颗粒数量比例从27.6%减小到 7.2%。

大量研究表明在电弧离子镀膜过程中,靶材表面的电流分布并不是均匀一致的,在阴极斑点处具有极高的电流密度。当增大靶电流时,也相应的增大了阴极斑点处的电流密度,使得斑点处具有更高的温度,从而使得靶材产生更多数量、尺寸更大的融滴,沉积到涂层中便形成了大颗粒。

3、结论

1)随着Al靶、cr靶电流之比IA川cr的增大,Crl.xAlxN涂层中Al含量增多。适当控制靶电流比值,可以控制crl.xAlxN中铝金属比值在0.15--一0.6的范围内。

2)所制备Crl.xAlxN涂层晶体结构均呈现面心立方结构fee.CrN生长,fec-CrN相的衍射峰均向右偏移,且随着Al含量增加,衍射峰偏移的角度越大,晶格常数越小。随着Al含量的增加,晶体生长择优取向由(200)晶面转向(111)晶面。

3)所制备Crl.。AI。N涂层表面均存在大颗粒。且随着Al含量的增加,尺寸大于或等于2.09m的大颗粒数量比例增多。

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