TA1/GR1钛靶管

1、定义TA1纯钛靶管是以中国国家标准 GB/T 3620.1 中的 TA1（工业纯钛） 为基础材料，通过二次提纯和精密加工制成的空心圆柱形溅射靶材。其纯度通过特殊工艺提升 99.9%（3N级） 以上，... 【详情】

TA1钛圆柱靶通过提纯工艺在保留工业纯钛成本优势的同时，显著提升了纯度与溅射性能，成为中端工业涂层的理想选择。其性价比优于4N5级高纯钛靶，且比TA2钛靶更适合要求较高的耐磨与防腐应用。选购时需严格把控Fe、O杂质含量及晶粒均匀性，应用中需优化溅射气体比例与基片温度。对于高精密半导体或光学镀膜... 【详情】

TA1钛靶管凭借其低成本、易加工和良好的耐腐蚀性，成为工业防腐与装饰镀层的经济型选择。相较于高纯钛靶管，其薄膜均匀性和耐温性稍逊，但成本优势显著；与TA2钛靶管相比，杂质控制更优，适合对镀层质量要求稍高的场景。选购时需重点关注Fe、O杂质含量及几何精度，应用中需控制溅射参数以避免膜层缺陷... 【详情】

固态电池用钛靶材是一种通过物理气相沉积（PVD）技术（如磁控溅射）制备超薄钛金属层的高纯度材料，主要用于固态电解质与电极界面层，通过抑制锂枝晶生长、提升离子传输效率和界面稳定性，解决固态电池循环寿命短的核心痛点... 【详情】

产品名称：钛靶材、钛多弧靶, 钛靶块，钛块牌号：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2执行标准：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半导体分离器件、平面显示器、储存器电极薄膜、溅射镀膜、工件表面涂... 【详情】